砷化镓(GaAs)是一种性能优良的半导体材料，具有直接带隙、电子迁移率高、高频低噪声、转换效率高等特点，广泛应用于光电子和微电子工业。在光电子工业领域应用层面，砷化镓单品可被用于制作LED(发光二极管)、LD(激光器)、光伏器件等;在微电子工业领域应用层面，可被用于制作MESFET(金属半导体场效应管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)、IBT(异质结双极晶体管)、IC、微波二极管、Hal1器件等。

威芯光电可提供使用VGF技术生长的2-6英寸的GaAs衬底，包括半绝缘GaAs衬底(无掺杂)和半导体GaAs 衬底(掺Si或掺Zn),以及用于VCSEL和RF应用的低位错GaAs 衬底。亦可根据客户需求，定制非标厚度和晶向的GaAs衬底。