衬底_威芯光电 - 威芯光电科技(深圳)有限公司

GaAs 砷化镓衬底晶片

GaAs 砷化镓衬底晶片

砷化镓（GaAs）是一种性能优良的半导体材料，具有直接带隙、电子迁移率高、高频低噪声、转换效率高等特点。我们可提供使用VGF法生长的的1-8英寸的砷化镓衬底，包括半绝缘砷化镓衬底（非掺）和半导体砷化镓衬底（掺Si、掺Zn）。

InP 磷化铟衬底晶片

InP 磷化铟衬底晶片

磷化铟（InP）是重要的III-V族化合物半导体之一，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点。我们可提供使用VGF法生长2-6 英寸磷化铟(InP)衬底，包括半绝缘InP衬底（掺Fe）和半导体InP衬底（掺Si或掺Zn），以及用于特定用途的低位错InP衬底。

Ge 锗衬底晶片

Ge 锗衬底晶片

锗单晶片是重要的半导体衬底材料，有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等。我们可提供直径为2-8英寸的低位错或零位错锗（Ge）衬底，其电阻率在0.005 Ω•cm～50Ω•cm范围。

蓝宝石衬底晶片

蓝宝石衬底晶片

全面引进吸收原Honeywell衬底切割、磨抛和检测技术，拥有成熟的2、4、6、8寸蓝宝石衬底加工工艺

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